[알파경제=영상제작국] 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품인 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산하여 출하하기 시작했습니다. 이번 제품은 엔비디아가 다음 달 공개할 예정인 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'에 탑재될 것으로 알려졌습니다. 삼성전자는 당초 계획보다 일정을 약 일주일 앞당기며, 전 세대 제품에서 겪었던 경쟁 열세를 극복하고 차세대 메모리 시장의 주도권을 조기에 확보하겠다는 의지를 보였습니다.
이번 HBM4는 업계 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)과 파운드리 4나노 공정을 동시에 적용해 성능과 효율을 극대화한 것이 특징입니다. 특히 하단에서 전력과 신호를 제어하는 '베이스 다이'에 4나노 공정을 도입함으로써 동작 속도를 업계 표준보다 46% 빠른 11.7Gbps까지 끌어올렸습니다. 이는 전작인 HBM3E 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 거대 AI 모델의 데이터 병목 현상을 해소할 것으로 전망됩니다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "기존의 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램과 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며, "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 밝혔습니다. 삼성전자는 메모리부터 패키징까지 아우르는 '원스톱 솔루션' 역량을 바탕으로 글로벌 GPU 업체 및 초대형 클라우드 사업자와의 기술 협력을 확대할 방침입니다.
삼성전자는 올해 HBM 매출이 지난해보다 3배 이상 증가할 것으로 내다보고 있으며, 2028년 가동되는 평택사업장 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용할 예정입니다. 차세대 제품인 HBM4E는 올해 하반기 샘플 출하를 앞두고 있으며, 고객 맞춤형인 '커스텀 HBM'은 내년부터 순차적으로 샘플링이 진행됩니다. 삼성전자 관계자는 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성이 향후 고부가 제품 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것이라고 전했습니다.
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