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| (사진=연합뉴스) |
[알파경제=김영택 기자] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 생산 능력 확충과 고층 기술 개발에 박차를 가하며, 기술 경쟁에서 뒤처졌던 상황을 반전시키려는 움직임을 보이고 있다.
5일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 천안 사업장을 중심으로 HBM 생산 능력을 대폭 확대하며, 올 연말에는 SK하이닉스를 생산 능력 면에서 앞설 것이라고 예상하고 있는 것으로 전해졌다.
HBM은 여러 개의 D램을 쌓아 정보 이동 통로를 넓힌 칩으로, AI 시대에 필수적인 특수 메모리다. 삼성전자는 12단 이상의 고층 HBM을 개발하여 이 분야에서 경쟁력을 확보하려는 계획이다.
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| (사진=삼성전자) |
이는 열압착-비전도성접착필름(TC-NCF) 공정 기술을 고도화하여 가능한 전략으로, 삼성은 이미 8단 5세대 HBM과 12단 제품 개발에 성공했다.
엔비디아와의 협력 가능성도 높아지고 있는 가운데, 엔비디아의 젠슨 황 CEO가 삼성의 12단 5세대 HBM에 대한 기대감을 표현한 바 있다.
삼성전자의 이같은 움직임은 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 강화하고, 글로벌 메모리 시장에서의 선도적 위치를 확립하기 위한 전략적인 노력의 일환으로 풀이된다.
알파경제 김영택 기자(sitory0103@alphabiz.co.kr)
