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| SK하이닉스 PKG제품개발 담당 이규제 부사장(사진= SK하이닉) |
[알파경제=차혜영 기자] SK하이닉스는 차세대 패키징 기술을 통해 초고속 D램 HBM(High Bandwidth Memory) 시장에서 선두 자리를 이어갈 계획이다.
SK하이닉스는 11년 전 세계 최초로 HBM을 개발한 이후 차세대 기술 개발을 선도해왔고 올해 3월에는 현존 최고 성능의 5세대 HBM3E를 가장 먼저 양산해 공급하며 시장을 주도하고 있다.
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| SK하이닉스의 주요 HBM 패키징 기술(사진= SK하이닉) |
AI 시스템의 필수 메모리로 꼽히는 HBM은 오랜 기간 기술 전문가들의 협업으로 완성된 반도체 기술 혁명의 산물이다.
SK하이닉스 PKG제품개발 담당 이규제 부사장은 최근 인터뷰에서 “TSV, MR-MUF 등 주요 패키징 기술을 준비해온 SK하이닉스의 혜안 덕분에 HBM 시장에서 1등 리더십을 구축할 수 있었다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현하는 핵심 기술이다.
이 부사장은 “미래 시장에 대비하기 위해 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층(스태킹)을 포함한 WLP 기술을 적극 연구했다”고 설명했다.
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| MR-MUF 기술 로드맵을 설명하는 이규제부사장 (사진= SK하이닉스) |
HBM2E 개발에 성공한 2019년부터 SK하이닉스는 확실한 업계 우위를 점했다. 이 부사장은 “HBM 최초 개발 후 시장과 고객이 만족할 수준 이상의 품질과 양산 역량을 확보하기 위해 MR-MUF 기술을 적용했다”고 밝혔다.
MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정으로 기존 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.
이 부사장은 “MR-MUF 기술의 안정성을 검증해 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었고 이를 통해 품질과 성능 측면에서 매우 안정적인 HBM2E의 양산과 공급이 가능했다”고 말했다.
회사는 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 독보적인 HBM 1등 리더십을 유지하고 있다.
성공의 1등 공신은 MR-MUF 기술을 고도화한 어드밴스드 MR-MUF 기술이다. 이 부사장은 “기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했다”고 설명했다.
이 부사장은 “차세대 패키징 기술을 지속적으로 개발하며 고객의 다양한 요구를 충족시킬 것”이라고 밝혔다.
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| (사진= SK하이닉스) |
SK하이닉스는 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 고도화하는 한편 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다.
마지막으로 이 부사장은 “HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문”이라며 “고객과의 긴밀한 소통과 협업을 통해 SK하이닉스 패키징의 미래를 준비하겠다”고 강조했다.
알파경제 차혜영 기자(kay33@alphabiz.co.kr)
