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| (사진=연합뉴스) |
[알파경제=(고베) 우소연 특파원] 산업기술종합연구소(산총연)가 미국 인텔과 협력하여 최첨단 반도체 연구개발(R&D) 거점 구축에 1000억엔 규모의 투자를 단행한다고 니혼게이자이신문(닛케이)이 22일 전했다.
2027년 가동을 목표로 하고 있으며 새로운 운영 회사 설립을 통해 제조 장비 및 소재 업체들의 투자 참여를 유도할 예정이다.
반도체가 경제 안보의 핵심 요소로 부상한 가운데 이번 투자는 소재와 장비의 경쟁력 강화 및 공급망 견고화를 목표로 한다.
신규 시설은 산총연이 위치한 이바라키현 쓰쿠바시를 비롯한 관동권이 유력한 후보지로 거론되고 있다.
이 시설에는 반도체 관련 기업 퇴직자 등 첨단 개발 경험을 보유한 기술자 약 100명이 투입될 예정이다.
특히 주목할 만한 점은 일본내 연구기관 최초로 극한자외선(EUV) 노광장치를 도입한다는 것이다.
이 장비는 회로 선폭 5나노미터 이하의 최첨단 반도체 생산에 필수적인 요소다.
투자 자금은 정부 보조금과 '포스트 5G 기금' 등을 활용하며 일부는 기업 출자로 충당할 계획이다.
수백억 엔에 달하는 EUV 장치의 고가성을 고려해 소재·장비 업체들이 이용료를 지불하고 공동 사용하는 방식을 채택할 예정이다.
그동안 일본 기업들은 EUV를 활용한 연구개발을 위해 벨기에의 imec 등 해외 연구기관 설비에 의존해 왔다.
하지만 미국의 대중국 EUV 장비 수출 규제로 인해 해외에서 수행한 연구 성과와 데이터의 일본내 반입 절차가 복잡해지는 상황이었다.
최첨단 반도체 제조에는 600개 이상의 공정이 필요하며 소재 및 장비와의 긴밀한 연계가 필수적이다.
이러한 배경에서 후지필름 등 일본 기업들은 일본내 첨단 분야 거점 확충에 나서고 있다.
일본은 현재 반도체 소재 분야에서 세계 시장의 50% 장비 분야에서 30%의 점유율을 보유하고 있다.
이번 연구개발 거점 확충을 통해 소재와 장비를 포함한 전체 공급망의 강화가 기대된다.
알파경제 우소연 특파원(wsy0327@alphabiz.co.kr)
