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| (사진=SK하이닉스) |
[알파경제=김영택 기자] SK하이닉스의 김춘환 부사장이 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다.
산업통상자원부가 주관하는 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 이뤄진 이번 수상은 김 부사장의 32년간의 메모리 반도체 연구 성과를 반영한 것으로 보인다.
김 부사장은 HBM(High Bandwidth Memory)의 핵심 기술인 TSV(Through Silicon Via) 개발에 주도적 역할을 했다.
TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층하여 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술이다.
김춘환 부사장은 "TSV 개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되어 난이도가 매우 높았다"면서 "특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 상당한 어려움을 겪었다"고 설명했다.
그는 “이런 도전을 극복하고 'R&D의 요소기술 개발→제조/기술의 양산 품질 고도화→패키징'으로 이어지는 개발 모델을 완성했다”면서 “이를 통해 SK하이닉스는 HBM 시장 개화 시점에 맞춰 제품을 출시할 수 있었다”고 회고했다.
SK하이닉스는 D램과 낸드 플래시 분야에서도 김 부사장의 혁신은 두드러졌다.
10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했으며, HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능과 효율을 향상시켰다.
낸드 분야에서는 Gate W Full Fill 기술로 신뢰성을 높이고 수율 안정성을 확보했다. 또한 웨이퍼 본딩 기술 개발로 초고층 낸드 생산에 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.
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| (사진=SK하이닉스) |
김 부사장은 “SK하이닉스가 '풀스택 AI 메모리 프로바이더'로 도약하는 데 중요한 기반이 됐다”면서 "1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물로 LPDDR5X·LPDDR5T의 초고속·저전력 특성은 HKMG 기술 덕분에 가능했다”고 말했다.
이어 “국내외 반도체 학회 강연을 통해 R&D 노하우를 공유하고, 소재·부품·장비 협력사와의 기술 협력을 지속해왔다”고 설명했다.
김 부사장은 성공의 핵심 요소로 '도전 정신'과 '원팀' 문화를 강조했다. 그는 "R&D 조직은 도전 정신을 바탕으로 한계를 정면으로 돌파하며 원가 경쟁력을 갖춘 기술을 개발하고 있다”며 “여기에 원팀 문화가 더해져 시너지 효과가 창출됐다”고 평가했다.
또 "신규 요소기술 정의부터 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나돼야 한다”면서 “실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전해야 하고, 퍼스트 무버로서 기술 리더십을 발휘한다면 세계 최고의 SK하이닉스로 성장할 수 있을 것”이라고 설명했다.
알파경제 김영택 기자(sitory0103@alphabiz.co.kr)
