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| (사진=삼성전자) |
[알파경제=김영택 기자] 삼성전자가 경기도 평택캠퍼스 4공장(P4)에 신규 D램 생산 라인을 구축하며 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산 능력 확충에 나선다.
7일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 1분기까지 P4 공장에 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새로 구축하는 내부 전략을 수립한 것으로 알려졌다.
해당 신규 라인에서는 월 10만~12만 장의 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 전망된다.
1c D램은 HBM4에 탑재되는 최선단 D램으로, HBM4에는 총 12개의 1c D램이 사용된다.
삼성전자는 올해 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크 기업을 대상으로 HBM4를 공급할 계획이며, 이달 중 양산 공급을 앞두고 있다.
이번 투자는 D램 가격 상승세와 함께 급증하는 HBM 수요에 적극적으로 대응하기 위한 전략으로 풀이된다.
현재 삼성전자의 D램 생산 능력은 웨이퍼 투입량 기준으로 월 66만 장 수준으로 파악된다.
신규 생산 라인 증설이 완료되면 D램 캐파는 최대 18%까지 확대될 것으로 예상된다.
알파경제 김영택 기자(sitory0103@alphabiz.co.kr)
