[알파경제=김영택 기자] 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 퇴사 후 중국 반도체 기업으로 이직하여 삼성전자의 국가 핵심기술을 부정 사용한 혐의로 구속 상태에서 재판에 넘겨졌다.

이들은 중국 최초의 18나노 D램 반도체 개발에 해당 기술을 유출 및 사용한 것으로 조사됐다.

서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨와 전직 연구원 신모씨, 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다.

이들은 삼성전자 퇴직 후 중국 D램 반도체 기업인 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직하여 '2기 개발팀'의 핵심 인력으로 활동했다.

이 과정에서 불법적으로 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정하게 사용한 혐의를 받고 있다.

CXMT는 중국 지방정부가 약 2조 6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

유출된 기술은 삼성전자가 1조 6000억원을 투자하여 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정 기술인 것으로 파악됐다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 수사에 착수, CXMT의 '1기 개발팀'에 참여했던 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 이미 구속 기소한 바 있다.

이후 진행된 추가 수사에서 검찰은 1기 개발팀의 개발실장을 맡았던 김씨가 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 유출 자료를 부정 취득한 사실을 밝혀냈다.

이후 CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨는 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 이를 바탕으로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 조사됐다.

이들은 1기 개발팀의 사업을 이어받아 삼성전자의 실제 제품을 분해하여 유출 자료의 정확성을 검증하고, 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등 개발 완성 작업을 수행한 것으로 드러났다.

신씨 등은 개발 참여 대가로 CXMT로부터 4~6년간 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억 원의 높은 급여를 받은 것으로 확인됐다.

이 사건으로 인해 삼성전자는 지난해 기준 약 5조 원의 매출 감소액이 발생한 것으로 추정되며, 향후 피해 규모는 최소 수십조 원에 이를 것으로 예상된다.

삼성전자에서 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 조사된 A씨는 현재 인터폴(국제형사경찰기구) 적색 수배 대상에 올라 있다.

 

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