[알파경제=이준현 기자] LG전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제조 핵심 장비인 하이브리드 본더 개발에 나서며 반도체 장비 시장에 진출한다.

14일 업계에 따르면 LG전자 생산기술원이 하이브리드 본더 장비 개발을 시작했으며, 2028년 양산을 목표로 설정한 것으로 알려졌다.

하이브리드 본더는 반도체 칩을 연결할 때 기존 열압착 본더와 달리 범프 없이 칩을 직접 붙일 수 있는 차세대 장비다. 칩 두께를 더욱 얇게 만들고 발열을 줄일 수 있어 여러 층으로 D램을 쌓는 HBM 제조에 필수적인 기술로 평가받는다.

현재 HBM에는 열압착 기술이 사용되지만, 16단 이상 고적층 제품에서는 하이브리드 본딩 기술 적용이 불가피할 것으로 전망된다.

삼성전자는 6세대 HBM4에, SK하이닉스는 7세대 HBM4E에 이 기술을 도입할 계획인 것으로 알려졌다.

LG전자는 하이브리드 본더 개발을 위해 반도체 패키징 기술 연구 조직을 확대하고 고급 인력을 새로 영입할 예정으로 전해졌다.

실제로 인하대 하이브리드 본더 연구진과 공동 프로젝트를 진행하고 있다.

이번 사업 진출은 구광모 LG그룹 회장이 강조하는 인공지능 사업과 맞물린 전략적 판단으로 분석된다.

LG전자의 기업간거래 사업 확대 정책과도 연결되며, 성공할 경우 SK하이닉스와 삼성전자, 미국 마이크론 등을 고객사로 확보할 수 있다.

현재 하이브리드 본더 시장은 네덜란드 베시와 미국 어플라이드머티어리얼즈가 주도하고 있다. 국내에서는 한미반도체가 지난달 285억원을 투자해 하이브리드 본더 전용 공장 건설에 착수했고, 삼성전자는 자회사 세메스를 통해 개발을 진행 중이다.

한화세미텍도 올해 SK하이닉스에 열압착 본더를 공급하며 반도체 장비 업체로 자리매김한 가운데, 하이브리드 본더 상용화에 집중하고 있어 경쟁이 치열해질 전망이다.

시장조사업체 베리파이드마켓리서치에 따르면 하이브리드 본딩 기술 시장은 2023년 52억6000만달러에서 2033년 140억2000만달러로 성장할 것으로 예상된다.

 

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