[알파경제=(고베) 우소연 특파원] 일본 반도체 제조장비 업체 도쿄일렉트론이 차세대 반도체 기술 개발을 위한 대규모 투자에 나섰다고 니혼게이자이신문(닛케이)이 16일 전했다.

 

회사는 15일 구마모토현에서 470억엔을 투입한 신개발동 준공식을 개최했다고 발표했다.

새로 건설된 연구개발동은 총 바닥면적 약 2만7천㎡의 4층 건물로, 2026년 봄 가동을 시작한다. 

 

이 시설에서는 현재 최첨단 제품을 뛰어넘는 회선폭 1나노미터 반도체 실현을 목표로 한 핵심 장비를 개발할 예정이다.

도쿄일렉트론 큐슈의 하야시 신이치 사장은 기자회견에서 "1나노 이후에도 내다본 장치 개발을 목표로 한다"고 강조했다. 

 

구마모토 개발 능력은 기존 대비 4배로 확대되며, 향후 최신 반도체 공장을 모방한 클린룸을 설치해 고객사와의 협력을 강화할 계획이다.

구마모토 시설에서는 주로 반도체 웨이퍼에 감광재를 도포하는 코터·디벨로퍼(도포현상장치)를 개발·제조한다. 

 

이 장비는 미세화의 핵심 공정인 노출 전후에 사용되며, 첨단 영역에서 독점적 지위를 유지하고 있다.

현재 세계 최첨단 반도체는 대만 TSMC가 2025년 내 양산을 시작하는 2나노 제품이다. TSMC는 2028년에는 1.4나노 양산을 시작한다고 밝혔다. 1나노 이후 반도체는 2030년 이후 보급될 것으로 전망된다.

1나노 반도체가 실현되면 하나의 칩에서 작동하는 트랜지스터 수가 대폭 증가해 생성형 AI의 반응속도나 자율주행 정밀도가 크게 향상될 것으로 기대된다. 

 

반도체 집적도가 2년마다 2배씩 증가한다는 '무어의 법칙'이 물리적 한계에 근접하고 있는 상황에서, 도쿄일렉트론은 네덜란드 ASML, 벨기에 imec 등과 협력해 이런 한계에 도전하고 있다.

도쿄일렉트론은 반도체 제조 핵심 공정인 성막, 도포현상, 에칭, 세척 4개 분야에서 시장점유율 1위 또는 상위권 장비를 보유하고 있다. 

 

회사는 2029년 3월까지 5년간 과거 5년 대비 90% 증가한 1조5천억엔 이상의 연구개발비를 투입할 방침이라고 밝혔다.

다만 최근 실적에는 둔화 조짐이 나타나고 있다. 고객사의 투자 재검토와 중국 내 반도체 제조장비 판매 부진으로 2026년 3월기 최종 감익을 예상한다고 전했다. 

 

또한 대만 검찰당국이 8월 TSMC의 2나노 기술 관련 영업비밀 부정사용 혐의로 도쿄일렉트론 대만 현지법인 전 직원을 포함한 기술자들을 기소한 사건이 향후 협력관계에 영향을 미칠 가능성도 제기되고 있다고 닛케이는 전했다.

 

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