[알파경제=우소연 특파원] 라피더스와 미국 IBM(NYSE)이 최첨단 2나노미터 반도체의 성능 향상을 위한 핵심 기술을 공동 개발했다고 니혼게이자이신문(닛케이)이 11일 전했다.

양사는 9일 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제 전자 디바이스 회의(IEDM)'에서 이 연구 성과를 처음으로 공개했다.

IBM 측은 "2나노칩의 엄격한 기술 요건을 충족시킬 수 있었다"고 밝혔다.

이번에 개발된 기술의 핵심은 반도체 내부를 흐르는 전류의 전압을 정밀하게 제어하는 데 있다.

2나노미터 반도체의 트랜지스터는 'GAA(게이트·올·어라운드)'라는 복잡한 구조를 사용하는데 연구진은 특정 층에 절연막을 형성하여 미세 회로에서의 전기 누출을 방지하는 데 성공했다.

이를 통해 기존 반도체보다 더 적은 전력으로 복잡한 연산 처리가 가능해졌다.

이는 인공지능(AI)과 같은 고성능 컴퓨팅 분야에서 큰 진전을 이룰 것으로 전망된다.

라피더스는 이 기술을 2025년 4월부터 홋카이도 치토세시 공장에서 생산될 시제품에 도입할 계획이며 2027년까지 2나노미터 반도체의 대량 생산을 목표로 하고 있다.

라피더스와 IBM은 미국 내 연구 거점에서 2나노미터 반도체의 설계 기술을 지속적으로 공동 개발하고 있다.

 

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